Инвентаризация:16814

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 75A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 9.7mOhm @ 37.5A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta), 138W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSON
  • Длина ремня 5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 140 nC @ 10 V
  • 4800 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3

Инвентаризация: 112339

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

Инвентаризация: 26222

ABU / MOSFET

Инвентаризация: 4709

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

Инвентаризация: 60772

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8

Инвентаризация: 5898

MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT

Инвентаризация: 8367

Top