Инвентаризация:56156

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 800mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.7A, 2.6A
  • Глубина 530pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 4A, 4.5V
  • Тип симистора 17nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TSOT-26

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V TSOT23-6

Инвентаризация: 15385

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

Инвентаризация: 128745

MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

Инвентаризация: 3315

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23

Инвентаризация: 17777

Top