- Модель продукта SI4866DY-T1-E3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5510
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
- Материал феррулы 1.6W (Ta)
- Барьерный тип 600mV @ 250µA (Min)
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 2.5V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 30 nC @ 4.5 V