Инвентаризация:6764

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 200mOhm @ 11A, 10V
  • Материал феррулы 3.7W (Ta), 150W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 61 nC @ 10 V
  • 1400 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10

Инвентаризация: 1324

MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252

Инвентаризация: 50000

MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

Инвентаризация: 3146

MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK

Инвентаризация: 981

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Инвентаризация: 3811

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

Инвентаризация: 70952

Top