Технические детали

• Тип монтажа 6-UFDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 600mW
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 3.8A
• Глубина 300pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
• Тип симистора 4.2nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (1.6x1.6)