Инвентаризация:5212

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta), 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 41W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power33
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 86 nC @ 10 V
  • 4830 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON

Инвентаризация: 7527

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23

Инвентаризация: 1313

MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33

Инвентаризация: 2950

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Инвентаризация: 9685

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

Инвентаризация: 93164

SOT-23 MOSFETS ROHS

Инвентаризация: 2478

Top