- Модель продукта IRFHM830TR2PBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-VQFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.8mOhm @ 20A, 10V
- Барьерный тип 2.35V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение PQFN (3x3)
- 30 V
- 31 nC @ 10 V
- 2155 pF @ 25 V