- Модель продукта SUD09P10-195-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:32003
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 195mOhm @ 3.6A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 34.8 nC @ 10 V
- 1055 pF @ 50 V