- Модель продукта SIR846DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 72 nC @ 10 V
- 2870 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Инвентаризация: 16915
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 7095
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 1211
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
