- Модель продукта SIR800DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7839
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.3mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5.2W (Ta), 69W (Tc)
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 133 nC @ 10 V
- 5125 pF @ 10 V