- Модель продукта SI6562CDQ-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:28529
Технические детали
- Тип монтажа 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.6W, 1.7W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A, 6.1A
- Глубина 850pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
- Тип симистора 23nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-TSSOP
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Инвентаризация: 16260
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Инвентаризация: 94050
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Инвентаризация: 15993
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Инвентаризация: 19900
