- Модель продукта SI5935CDC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:11848
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Lead
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.1W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 455pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Тип симистора 11nC @ 5V
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Инвентаризация: 2348
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Инвентаризация: 2817
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 5720
