- Модель продукта SI5908DC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:29207
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.1W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.4A
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Тип симистора 7.5nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 1206-8 ChipFET™