- Модель продукта SI5517DU-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:3692
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 8.3W
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A
- Глубина 520pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Тип симистора 16nC @ 8V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® ChipFet Dual
Сопутствующие товары
RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362
Инвентаризация: 6899
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Инвентаризация: 35815
