- Модель продукта SI3460DDV-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5429
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7.9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Материал феррулы 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 20 V
- 18 nC @ 8 V
- 666 pF @ 10 V