- Модель продукта ALD114913SAL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW
- Внутренняя отделка контактов 10.6V
- Толщина внешнего контактного покрытия 12mA, 3mA
- Глубина 2.5pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 500Ohm @ 2.7V
- Тип подключения Depletion Mode
- Барьерный тип 1.26V @ 1µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Инвентаризация: 3471
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Инвентаризация: 17
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Инвентаризация: 105581
