- Модель продукта ALD110900APAL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Количество витков Through Hole
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 500mW
- Внутренняя отделка контактов 10.6V
- Глубина 2.5pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 500Ohm @ 4V
- Барьерный тип 10mV @ 1µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
Инвентаризация: 63
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Инвентаризация: 47
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Инвентаризация: 309
