- Модель продукта FDS89161
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:22225
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.6W
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A
- Глубина 210pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 2.7A, 10V
- Тип симистора 4.1nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Инвентаризация: 2497
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Инвентаризация: 980
