- Модель продукта PMDPB65UP,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 520mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.5A
- Глубина 380pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 1A, 4.5V
- Тип симистора 6nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-HUSON (2x2)