Инвентаризация:9286

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta)
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSONP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 8.3 nC @ 4.5 V
  • 1250 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON

Инвентаризация: 3396

MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON

Инвентаризация: 22001

MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON

Инвентаризация: 3963

MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON

Инвентаризация: 816

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Инвентаризация: 52651

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

Инвентаризация: 5990

Top