- Модель продукта IRFH5210TRPBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6371
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 55A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 14.9mOhm @ 33A, 10V
- Материал феррулы 3.6W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 59 nC @ 10 V
- 2570 pF @ 25 V