Инвентаризация:7426

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A (Ta), 28A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 37mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 63W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 44 nC @ 10 V
  • 2000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 3.3A/12A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN

Инвентаризация: 113269

MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6

Инвентаризация: 2928

Top