Инвентаризация:23283

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Глубина 2300pF @ 30V, 2900pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 6.3A, 10V
  • Тип симистора 58nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

Инвентаризация: 52890

MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Инвентаризация: 1060579

MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN

Инвентаризация: 99373

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO

Инвентаризация: 6761

Top