Инвентаризация:3149

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 1030pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 2A, 10V
  • Тип симистора 15nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 14920

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

Инвентаризация: 6169

IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK

Инвентаризация: 6840

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 11013

MOSFET N-CH 60V 5A 8SO

Инвентаризация: 5464

Top