- Модель продукта STB13NM60N
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2459
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 90W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 600 V
- 30 nC @ 10 V
- 790 pF @ 50 V