Инвентаризация:9828

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 14.9A, 10V
  • Материал феррулы 1.79W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-DSO-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 136 nC @ 10 V
  • 5890 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC

Инвентаризация: 47458

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Инвентаризация: 4212

MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO

Инвентаризация: 8109

Top