- Модель продукта US6J11TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:7375
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 320mW
- Внутренняя отделка контактов 12V
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.3A
- Глубина 290pF @ 6V
- Сопротивление при 25°C 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
- Тип симистора 2.4nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TUMT6
Сопутствующие товары
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Инвентаризация: 59725
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Инвентаризация: 156316
