- Модель продукта US6M11TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:15103
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1W
- Внутренняя отделка контактов 20V, 12V
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.5A, 1.3A
- Глубина 110pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Тип симистора 1.8nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TUMT6
Сопутствующие товары
TRANS NPN 50V 3A TO252
Инвентаризация: 5753
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Инвентаризация: 557
TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3
Инвентаризация: 6321
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Инвентаризация: 28
