- Модель продукта EM6M2T2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:116137
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 150mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 200mA
- Глубина 25pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 1Ohm @ 200mA, 4V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение EMT6