Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 190A (Tc)
• Глубина 24200pF @ 800V
• Сопротивление при 25°C 4.44mOhm @ 280A, 18V
• Тип симистора 800nC @ 18V
• Барьерный тип 5.1V @ 112mA
• Максимальное переменное напряжение AG-62MMHB