- Модель продукта S2M0025120J
- Бренд SMC Diode Solutions
- RoHS No
- Описание MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1550
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tj)
- Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 50A, 20V
- Материал феррулы 311W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 177 nC @ 20 V
- 4150 pF @ 1000 V