Технические детали

• Тип монтажа 8-WDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 27W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10.8A (Ta), 19.5A (Tc)
• Глубина 900pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 10.5mOhm @ 10A, 10V
• Тип симистора 31nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3x3)