- Модель продукта GSFT4R010
- Бренд Good Ark Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3875
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 208W (Ta)
- Барьерный тип 3.9V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 140 nC @ 10 V
- 8200 pF @ 50 V