- Модель продукта G220P03D32
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6460
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 30W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Глубина 1305pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 25nC @ 10V
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05) Dual