- Модель продукта G170P02D32
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P+P-CH 20V 20A 15W DFN3*3
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 15W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Глубина 2193pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 6A, 4.5V
- Тип симистора 30nC @ 10V
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05) Dual