- Модель продукта NVMJD010N10MCLTWG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.1W (Ta), 84W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.8A (Ta), 62A (Tc)
- Глубина 1795pF @ 50V
- Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 17A, 10V
- Тип симистора 26.4nC @ 10V
- Барьерный тип 3V @ 97µA
- Максимальное переменное напряжение 8-LFPAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101