- Модель продукта NTMFS0D6N04XMT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 380A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.57mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 150W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 210µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 86.4 nC @ 10 V
- 5574 pF @ 20 V