- Модель продукта NTMFS0D4N04XMT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 509A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.42mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 197W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 330µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 133 nC @ 10 V
- 8577 pF @ 20 V