Технические детали

• Тип монтажа 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
• Количество витков Through Hole
• Скорость 2 N-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 463W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 650V
• Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
• Глубина 4864pF @ 400V
• Сопротивление при 25°C 51mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 123nC @ 10V
• Барьерный тип 5V @ 3.3mA
• Максимальное переменное напряжение APMCD-B16
• Диаметр - Плечо Automotive
• AEC-Q101