- Модель продукта IXFN55N120SK
- Бренд Littelfuse / IXYS RF
- RoHS Yes
- Описание SIC AND MULTICHIP DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1688
Технические детали
- Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
- Количество витков Chassis Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 54A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 40A, 15V
- Барьерный тип 3.6V @ 12mA
- Максимальное переменное напряжение SOT-227B
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +15V, -4V
- 1200 V
- 107 nC @ 15 V
- 3360 pF @ 1000 V