- Модель продукта S2M0120120K
- Бренд SMC Diode Solutions
- RoHS Yes
- Описание MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1800
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 150mOhm @ 13.3A, 20V
- Материал феррулы 156W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 3.3mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1200 V
- 29.6 nC @ 20 V
- 652 pF @ 1000 V