- Модель продукта GT023N10M
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3100
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 226A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 250W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2Pak)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 121 nC @ 10 V
- 8050 pF @ 50 V