- Модель продукта G200P04D3
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 40V 20A DFN3*3-8L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 16mOhm @ -5A, -10V
- Материал феррулы 30W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3.15x3.05)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 54 nC @ 10 V
- 2662 pF @ -20 V