- Модель продукта G170P03S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:13500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Глубина 1786pF @ -15V
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 5A, 10V
- Тип симистора 40nC @ -10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP