Инвентаризация:1946

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 38A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 148W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 61 nC @ 18 V
  • 1196 pF @ 325 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3

Инвентаризация: 1436

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 330

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

Инвентаризация: 66

Top