- Модель продукта GPI90010DF88
- Бренд GaNPower
- RoHS Yes
- Описание GaNFET N-CH 900V 10A DFN8x8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4480
Технические детали
- Тип монтажа 8-DFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A
- Сопротивление при 25°C 162mOhm @ 2.5A, 6V
- Барьерный тип 1.2V @ 3.5mA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (8x8)
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7.5V, -12V
- 900 V
- 2.6 nC @ 6 V
- 78 pF @ 400 V