Инвентаризация:78695

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-563, SOT-666
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 530mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 870mA, 640mA
  • Глубина 60.67pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.74nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-563

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 23665

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 177478

MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

Инвентаризация: 24678

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Инвентаризация: 144156

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 10UQFN

Инвентаризация: 425222

Top