Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3W (Ta), 21W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta), 12.5A (Tc)
• Глубина 1370pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 127mOhm @ 4.5A, 10V
• Тип симистора 38nC @ 10V
• Барьерный тип 2.5V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-HSOP