- Модель продукта AIMZHN120R010M1TXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC_DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 202A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11.3mOhm @ 93A, 20V
- Материал феррулы 750W (Tc)
- Барьерный тип 5.1V @ 30mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-14
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 18V, 20V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 1200 V
- 178 nC @ 20 V
- 5703 pF @ 800 V
- AEC-Q101