- Модель продукта G3K8N15KE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3995
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 370mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 20W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 20 nC @ 10 V
- 549 pF @ 75 V